硅材料
Silicon(Si)
直拉單晶硅（CZ-Si）可以透過紅外1.5-8微米波長范圍。用作紅外透射級材料時，通常用于3-5μm波段的窗口鏡和透鏡。由于直拉單晶硅在9微米處存在強(qiáng)大的吸收帶，所以直拉單晶硅也通常用于紅外反射鏡的基底材料。為了避免9微米處的強(qiáng)吸收帶，可以通過摻雜處理和浮融法提純，可以獲得超過10微米的紅外透射。區(qū)熔單晶硅（FZ-Si）可用于1--16um波段，通常用于7-14μm波段。高純的區(qū)熔單晶硅(HPFZ-Si)可用于30--100um波段。
| 光學(xué)性能 | 透光波長范圍 | 1.5-8 μm（CZ-Si） | 機(jī)械性能 | 楊氏模量 | 130.91 GPa |
| 1-16um（FZ-Si） | 剪切彈性系數(shù) | 79.92 MPa | |||
| 30-100um（HPFZ-Si） | 努氏硬度 | 1100.0 kg/mm2 | |||
| 熱學(xué)性能 | 德拜溫度,K | 640 | 泊松比 | 0.266 | |
| 導(dǎo)熱率 | 2.6X10-6 | 物理性能 | 介電常數(shù) | 13 | |
| W/m.K @ 293K | 熔點(diǎn) | 1414 | |||
| 比熱 J/kg/°C | 712.8 | 密度 | 2.33 g/cm3 | ||
| 熱膨脹 | 2.6 x 10-6/K | 電阻率(Ωcm） | 5-50Ω.CM（CZ, Ptype ） | ||
| @ 313K | > 50Ω.CM（FZ, N type ） |
硅材料折射率（n）
（20°C室溫條件）
|
光學(xué)折射率 |
Wavelength |
折射率 |
Wavelength |
折射率 |
Wavelength |
折射率 |
Wavelength |
折射率 |
||||||||
|
(μm) |
n |
(μm) |
n |
(μm) |
n |
(μm) |
n |
|||||||||
|
1.3951 |
3.4975 |
3.000 |
3.432 |
5.5 |
3.4213 |
8.000 |
3.4184 |
|||||||||
|
Indices of Refraction (n) |
1.6606 |
3.4929 |
3.500 |
3.4284 |
6.0 |
3.4202 |
8.500 |
3.4182 |
||||||||
|
1.8131 |
3.4608 |
4.000 |
3.4257 |
6.5 |
3.4195 |
10.50 |
3.4178 |
|||||||||
|
2.1526 |
3.4476 |
4.500 |
3.4236 |
7.0 |
3.4189 |
11.04 |
3.4176 |
|||||||||
|
2.3254 |
3.443 |
5.000 |
3.4223 |
7.5 |
3.4186 |
- |
- |
|||||||||
硅材料透過率曲線
Silicon Transmission
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